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USI 白光掃描：多層微納工件形貌檢測(cè)數(shù)據(jù)異常（Data A...

一、概述本文基于設(shè)備原廠手冊(cè)及公開技術(shù)資料，針對(duì)半導(dǎo)體低反透明介質(zhì)/高反金屬基底復(fù)合結(jié)構(gòu)，剖析USI（通用掃描干涉，Universal Scanning Inte...

USI 白光掃描：多層微納工件形貌檢測(cè)數(shù)據(jù)異常（Data Abnormality）機(jī)理分析

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白光干涉儀測(cè)量精度易實(shí)現(xiàn)，大視場(chǎng) 高精度協(xié)同更具學(xué)術(shù)價(jià)值

白光干涉儀（White Light Interferometer, WLI）依托短相干干涉原理，亞納米級(jí)垂直測(cè)量精度較容易在小視場(chǎng)條件下達(dá)成。小視場(chǎng)檢測(cè)模式多用于...

白光干涉儀測(cè)量精度易實(shí)現(xiàn)，大視場(chǎng) 高精度協(xié)同更具學(xué)術(shù)價(jià)值

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芯片淺溝槽隔離 (Shallow Trench Isolat...

淺溝槽隔離（Shallow Trench Isolation, STI）是CMOS器件核心電學(xué)隔離結(jié)構(gòu)，核心原理為依托溝槽內(nèi)填充氧化層，實(shí)現(xiàn)芯片有源區(qū)之間的絕緣隔...

芯片淺溝槽隔離 (Shallow Trench Isolation,STI)內(nèi)壁粗糙度異常，白光干涉儀消除漏電風(fēng)險(xiǎn) (Leakage Risk)

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USI白光掃描：多層微納工件形貌檢測(cè)數(shù)據(jù)異常（Data Ab...

本文基于設(shè)備原廠手冊(cè)、公開招標(biāo)技術(shù)資料，針對(duì)半導(dǎo)體微納多層結(jié)構(gòu)（Semiconductor Micro-Nano Multilayer Structure）形貌檢...

USI白光掃描：多層微納工件形貌檢測(cè)數(shù)據(jù)異常（Data Abnormality）機(jī)理分析