淺溝槽隔離（Shallow Trench Isolation, STI）是CMOS器件核心電學(xué)隔離結(jié)構(gòu)，核心原理為依托溝槽內(nèi)填充氧化層，實(shí)現(xiàn)芯片有源區(qū)之間的絕緣隔離。半導(dǎo)體等離子體刻蝕工藝極易導(dǎo)致STI溝槽內(nèi)壁粗糙度超標(biāo)，溝槽側(cè)壁不規(guī)則凹凸結(jié)構(gòu)會(huì)引發(fā)局部電場(chǎng)集中，在硅/氧化層界面生成大量懸掛鍵與界面陷阱，形成固定漏電通道，誘發(fā)邊緣漏電（Edge Leakage）問題，直接降低器件隔離可靠性，嚴(yán)重時(shí)會(huì)導(dǎo)致芯片生產(chǎn)良率大幅下滑。

傳統(tǒng)檢測(cè)設(shè)備存在明顯技術(shù)局限：原子力顯微鏡（Atomic Force Microscope, AFM）檢測(cè)視場(chǎng)范圍小，僅可完成局部點(diǎn)位形貌采集，無(wú)法實(shí)現(xiàn)全域表征；探針式輪廓儀屬于接觸式檢測(cè)，易對(duì)晶圓溝槽內(nèi)壁造成物理劃傷，不適用于精密溝槽全域形貌檢測(cè)。

白光干涉儀（White Light Interferometer, WLI）基于低相干干涉原理，為非接觸式三維形貌精密測(cè)量設(shè)備，垂直分辨率可達(dá)亞納米級(jí)別，可完整重構(gòu)STI溝槽內(nèi)壁三維輪廓，精準(zhǔn)輸出面粗糙度參數(shù)Sa、Sq，有效識(shí)別微米、納米級(jí)別的側(cè)壁凸起、凹坑等微觀缺陷，解決傳統(tǒng)檢測(cè)方案的技術(shù)短板。

在半導(dǎo)體產(chǎn)線質(zhì)控流程中，可通過(guò)WLI對(duì)STI溝槽內(nèi)壁進(jìn)行多點(diǎn)全域掃描，精準(zhǔn)定位粗糙度超標(biāo)區(qū)域，反向迭代優(yōu)化等離子刻蝕參數(shù)、側(cè)壁氧化工藝，有效降低界面缺陷密度，弱化溝槽局部電場(chǎng)集中效應(yīng)，從源頭抑制器件漏電風(fēng)險(xiǎn)。該檢測(cè)方案具備無(wú)樣品損傷、高精度、高效率三大優(yōu)勢(shì)，可直接嵌入STI刻蝕后制程質(zhì)控環(huán)節(jié)，提前攔截形貌異常晶圓，穩(wěn)定保障芯片器件隔離性能。

大視野3D白光干涉儀可實(shí)現(xiàn)全域表面粗糙度（Surface Roughness）測(cè)量全覆蓋，測(cè)量量程覆蓋超光滑表面（Ra 0、03 nm）至高粗糙增材制造表面（Additive Manufacturing Surface, Ra 14、7 μm），突破傳統(tǒng)設(shè)備測(cè)量局限，形成工業(yè)精密測(cè)量（Precision Measurement）新范式，可適配半導(dǎo)體（Semiconductor）、精密制造（Precision Manufacturing）、增材制造等多領(lǐng)域精密檢測(cè)場(chǎng)景。

設(shè)備依托自主核心創(chuàng)新技術(shù)，解鎖納米級(jí)（Nanoscale）全場(chǎng)景精密測(cè)量能力，兼顧檢測(cè)高效性與數(shù)據(jù)精準(zhǔn)性，適配不同粗糙度等級(jí)工件檢測(cè)需求，重塑工業(yè)精密測(cè)量（Industrial Precision Measurement）精準(zhǔn)、高效標(biāo)準(zhǔn)，為各領(lǐng)域精密部件質(zhì)量管控提供權(quán)威、可溯源的數(shù)據(jù)支撐。

核心優(yōu)勢(shì)：大視野+高精度，打破行業(yè)技術(shù)壁壘

傳統(tǒng)行業(yè)設(shè)備普遍存在痛點(diǎn)：1倍以下物鏡（Objective Lens）僅支持單孔檢測(cè)，需搭配兩臺(tái)設(shè)備才能分別完成大視野觀測(cè)與高精度測(cè)量，檢測(cè)流程繁瑣、成本高、數(shù)據(jù)一致性差。

本設(shè)備搭載全新0、6倍輕量化專用鏡頭，配備15mm超大單幅視野（Single Frame Field of View），搭載可兼容4組物鏡的轉(zhuǎn)塔鼻輪（Turret Nose Wheel），單臺(tái)設(shè)備即可兼顧大視野全域觀測(cè)與納米級(jí)高精度測(cè)量，全面適配超光滑、高粗糙等各類復(fù)雜樣品檢測(cè)場(chǎng)景，無(wú)需頻繁切換設(shè)備，顯著提升檢測(cè)效率（Inspection Efficiency）與數(shù)據(jù)精準(zhǔn)度（Data Accuracy）。

全域粗糙度實(shí)測(cè)案例圖示及說(shuō)明（工業(yè)&半導(dǎo)體專屬）

（實(shí)測(cè)超光滑表面，檢測(cè)精度可達(dá)6pm（0、006nm），完全滿足半導(dǎo)體芯片（Semiconductor Chip）、超精密器件（Ultra-Precision Components）超高精度表面粗糙度檢測(cè)要求，保障器件長(zhǎng)期運(yùn)行穩(wěn)定性）

（實(shí)測(cè)晶圓背面表面，粗糙度Ra 0、9μm，適配半導(dǎo)體晶圓（Semiconductor Wafer）量產(chǎn)檢測(cè)場(chǎng)景，精準(zhǔn)把控晶圓加工精度（Wafer Processing Accuracy），為芯片后續(xù)封裝、鍵合工藝提供可靠品質(zhì)基礎(chǔ)）

（實(shí)測(cè)磨砂玻璃表面，粗糙度Ra 6、05μm，可精準(zhǔn)量化非金屬材料（Non-Metallic Materials）表面粗糙程度，適配光學(xué)鏡片、電子器件外殼等多行業(yè)檢測(cè)需求）

（實(shí)測(cè)3D增材打印工件表面，粗糙度Ra 14、7μm，可精準(zhǔn)捕捉增材表面微觀粗糙紋理（Rough Texture），為增材制造（Additive Manufacturing）工藝迭代優(yōu)化、產(chǎn)品質(zhì)量管控（Quality Control）提供核心數(shù)據(jù)支撐）

大視野3D白光干涉儀突破傳統(tǒng)測(cè)量技術(shù)局限，定義精密測(cè)量（Precision Measurement）新范式！憑借納米級(jí)全場(chǎng)景測(cè)量能力，以高效、高精度、高兼容的核心優(yōu)勢(shì)，刷新工業(yè)測(cè)量（Industrial Measurement）標(biāo)準(zhǔn)，為半導(dǎo)體、光學(xué)器件、精密零部件等高端制造領(lǐng)域，提供全維度精密檢測(cè)技術(shù)支撐，適配各行業(yè)嚴(yán)苛的量產(chǎn)測(cè)量需求。

四大核心技術(shù)革新（工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，適配半導(dǎo)體高端場(chǎng)景）

一、大視野+高精度，突破行業(yè)常規(guī)瓶頸

打破傳統(tǒng)設(shè)備功能割裂的局限，1倍以下物鏡可實(shí)現(xiàn)多場(chǎng)景兼容適配，無(wú)需多臺(tái)設(shè)備搭配，即可同步完成大視野全域觀測(cè)與高精度測(cè)量（High-Precision Measurement）。設(shè)備搭載0、6倍輕量化鏡頭，擁有15、5mm超大單幅視野，搭配四物鏡兼容轉(zhuǎn)塔設(shè)計(jì)（Turret Design），單設(shè)備覆蓋全場(chǎng)景檢測(cè)需求，減少設(shè)備切換頻次，大幅提升工業(yè)檢測(cè)效率與數(shù)據(jù)穩(wěn)定性。

核心技術(shù)支撐（適配全域粗糙度精密檢測(cè)）

全域量程適配：測(cè)量范圍覆蓋Ra 0、03 nm～Ra 14、7 μm全區(qū)間粗糙度，兼容超光滑半導(dǎo)體晶圓、芯片器件及高粗糙增材制造部件，單設(shè)備可完成多品類工件檢測(cè)，無(wú)需更換檢測(cè)設(shè)備。

納米級(jí)超高解析力：最低可解析6pm（0、006nm）超微觀形貌變化，滿足半導(dǎo)體領(lǐng)域晶圓、芯片引腳等超精密部件的檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)，所有檢測(cè)數(shù)據(jù)符合ISO 4287/ISO 4288國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)（International Standard），數(shù)據(jù)可溯源、可對(duì)標(biāo)。

高效工業(yè)化檢測(cè)設(shè)計(jì)：15mm超大單幅視野搭配多物鏡自動(dòng)轉(zhuǎn)塔結(jié)構(gòu)，無(wú)需頻繁切換鏡頭、更換設(shè)備，大幅縮短單批次檢測(cè)周期，優(yōu)化工業(yè)質(zhì)檢（Industrial Quality Inspection）流程，有效降低人力成本（Labor Cost）與設(shè)備投入成本。

全場(chǎng)景多材質(zhì)兼容：適配金屬、非金屬、半導(dǎo)體、增材制品等各類材質(zhì)，可完成平面、曲面、溝槽等異形工件的粗糙度檢測(cè)，設(shè)備通用性（Versatility）極強(qiáng)，適配多行業(yè)量產(chǎn)質(zhì)檢場(chǎng)景。

新啟航半導(dǎo)體｜專業(yè)白光干涉 3D 輪廓測(cè)量方案。亞納米精度保障，支持自動(dòng)化定制；高端系列對(duì)標(biāo)國(guó)際一線品牌，大視野設(shè)計(jì)，輕松應(yīng)對(duì)高低反射、復(fù)雜材料測(cè)量場(chǎng)景。

免責(zé)聲明（Disclaimer）

一、內(nèi)容溯源與適用范圍（Source & Scope of Application）

本文全部技術(shù)參數(shù)、結(jié)構(gòu)原理、機(jī)型適配及對(duì)比數(shù)據(jù)，均源自設(shè)備原廠官方資料、權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文獻(xiàn)及公開招標(biāo)驗(yàn)收文件，僅用于技術(shù)研究、方案對(duì)比及行業(yè)參考，不作任何商業(yè)用途。

二、內(nèi)容效力與權(quán)責(zé)界定（Validity & Liability Definition）

本文觀點(diǎn)與結(jié)論為通用技術(shù)參考，非設(shè)備原廠官方定論，不構(gòu)成任何商業(yè)承諾、履約標(biāo)準(zhǔn)及驗(yàn)收依據(jù)，未經(jīng)原廠實(shí)測(cè)核驗(yàn)，不得用于項(xiàng)目驗(yàn)收、舉證追責(zé)。

三、風(fēng)險(xiǎn)承擔(dān)與合規(guī)說(shuō)明（Risk Assumption & Compliance Statement）

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