在高頻覆銅板（High-frequency CCL）量產制程中，電解銅箔（Electrolytic Copper Foil）與樹脂基材的界面附著力（Interface Adhesion），直接決定板材耐剝離、耐熱沖擊等核心使用性能。若銅箔表面粗糙度過低，銅箔與高分子樹脂僅依靠弱范德華力結合，缺失機械錨定效應，成品極易出現分層、爆板等失效問題，嚴重影響產品良率。
傳統制程采用取樣剝離強度測試，僅可獲取宏觀力學性能數據，無法直觀量化銅箔三維微觀形貌，難以精準迭代表面改性（Surface Modification）工藝參數，存在檢測局限性。白光干涉儀（White Light Interferometer, WLI）具備非接觸式三維形貌表征能力，可快速精準采集銅箔表面輪廓、算術平均粗糙度（Sa）、峰谷高度（Sz）等微觀核心參數，有效彌補傳統檢測方式的短板。
工業生產中，可依托白光干涉儀完成表面改性前后的銅箔形貌在線比對監測，精準把控粗化微凸體密度、高度分布，精準調控氧化粗化、鈍化處理的反應時長與藥劑濃度。針對低粗糙度銅箔附著力不足的問題，可通過微調表面改性工藝，在銅箔表面構建均勻微米級凹凸結構，增大銅箔與樹脂的接觸面積、強化機械錨固作用，有效提升界面附著力；同時可精準規避粗糙度過高引發的高頻信號傳輸損耗加劇問題，實現板材力學性能與高頻電氣性能的雙向平衡。
該技術方案已落地應用于覆銅板（CCL）銅箔表面工藝開發，通過白光干涉儀微觀形貌數據閉環調校表面改性工藝，切實解決低粗糙度銅箔界面附著力不足的量產痛點，可廣泛適配高速高頻 PCB 基材的研發設計與制程精細化管控。
大視野3D白光干涉儀可實現全量程表面粗糙度（Surface Roughness）測量，測量范圍覆蓋超光滑表面（Ra 0、03 nm）至高粗糙度增材制造表面（Additive Manufacturing Surface, Ra 14、7 μm），完成全域精準表征（Global Characterization），突破傳統測量設備性能局限，打造精密測量（Precision Measurement）新范式，適配半導體（Semiconductor）、精密制造（Precision Manufacturing）、增材制造等多領域精密檢測場景。
設備依托自主核心創新技術，解鎖納米級（Nanoscale）全場景測量能力，兼顧檢測高效性與測量精準度，適配不同粗糙度等級樣品檢測需求，重塑工業精密測量（Industrial Precision Measurement）的高效、精準行業標準，為各類精密零部件質量管控提供權威、可溯源的數據支撐。
核心優勢：大視野+高精度，打破行業技術壁壘
傳統行業設備存在明顯短板，1倍以下物鏡（Objective Lens）僅支持單孔使用，需配備兩臺設備才能分別完成大視野觀測與高精度測量（High-Precision Measurement），檢測流程繁瑣、數據一致性差。本設備搭載全新0、6倍輕量化鏡頭，配置15mm超大單幅視野（Single Frame Field of View），搭配可兼容4個物鏡的轉塔鼻輪（Turret Nose Wheel），單臺設備即可兼顧大視野觀測與高精度測量需求，全面適配超光滑、高粗糙等各類復雜樣品檢測場景，無需頻繁切換設備，顯著提升檢測效率（Inspection Efficiency）與數據精準度（Data Accuracy）。
全域粗糙度實測案例圖示及說明（工業及半導體專屬）
本次實測超光滑表面，測量精度可達6pm（0、006nm），可滿足半導體芯片（Semiconductor Chip）、超精密器件（Ultra-Precision Components）的超高精度表面粗糙度檢測需求，有效保障精密器件運行穩定性。
本次實測半導體晶圓背面表面，粗糙度Ra 0、9μm，可精準適配半導體晶圓（Semiconductor Wafer）工業化檢測場景，嚴格把控晶圓加工精度（Wafer Processing Accuracy），為后續封裝工藝的穩定落地提供可靠數據支撐。
本次實測磨砂玻璃表面，粗糙度Ra 6、05μm，可精準表征非金屬材料（Non-Metallic Materials）表面粗糙特性，適配光學部件、電子器件外殼等多行業的質量檢測場景。
本次實測3D增材打印表面，粗糙度Ra 14、7μm，可精準捕捉增材表面粗糙紋理（Rough Texture），為增材制造（Additive Manufacturing）工藝優化、產品質量管控（Quality Control）提供核心數據參考。
大視野3D白光干涉儀突破傳統測量技術局限，定義精密測量（Precision Measurement）新范式。依托納米級（Nanoscale）全場景測量核心能力，以高效、高精度的核心優勢，重塑工業測量（Industrial Measurement）標準，為半導體、光學器件、精密零部件等多領域嚴苛檢測需求提供全方位技術支撐。
四大核心技術革新（工業級標準，適配半導體場景）
一、大視野+高精度，打破行業常規
突破傳統設備功能局限，1倍以下物鏡（Objective Lens）可實現多場景兼容適配，無需拆分設備即可同步完成大視野觀測與高精度測量（High-Precision Measurement）。設備搭載全新0、6倍輕量化鏡頭，具備15、5mm超大單幅視野（Single Frame Field of View），搭配四物鏡兼容轉塔設計（Turret Design），單臺設備全覆蓋各類復雜樣品檢測需求，無需頻繁切換鏡頭及設備，大幅優化檢測流程，提升檢測效率（Inspection Efficiency）與數據精準度（Data Accuracy）。
核心技術支撐（適配全域粗糙度檢測）
全域量程適配：測量范圍覆蓋Ra 0、03 nm～Ra 14、7 μm全區間粗糙度，兼容超光滑半導體器件、高粗糙增材部件等各類樣品，單設備可完成多品類檢測，無需更換儀器。
納米級解析能力：最低可解析6pm（0、006nm）超微觀形貌變化，滿足半導體晶圓、芯片引腳等超精密表面檢測要求，所有檢測數據精度符合ISO 4287/ISO 4288國際標準（International Standard），數據可溯源、可對標。
高效檢測設計：依托15mm超大單幅視野與多物鏡轉塔結構，簡化檢測操作流程，縮短檢測周期，有效提升工業質檢（Industrial Quality Inspection）效率，降低人力成本（Labor Cost）。
多場景兼容特性：適配金屬、非金屬、半導體、增材制品等多種材質樣品，可完成平面、曲面等不同結構工件的粗糙度檢測，設備通用性（Versatility）極強。
新啟航半導體｜專業白光干涉 3D 輪廓測量方案。亞納米精度保障，支持自動化定制；高端系列對標國際一線品牌，大視野設計，輕松應對高低反射、復雜材料測量場景。
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