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2026

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Smr/Smr1/Smr2 支承長(zhǎng)度率解讀，白光干涉儀粗糙度...

引言在精密機(jī)械配合、液壓密封結(jié)構(gòu)、齒輪傳動(dòng)及耐磨零部件加工領(lǐng)域，工件表面不僅需要控制基礎(chǔ)高低起伏粗糙度，更需精準(zhǔn)把控微觀表面實(shí)體接觸承載能力。傳統(tǒng)高度類粗糙度參數(shù)...

09

2026

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白光干涉儀，晶圓級(jí)封裝/Bump鍵合3D輪廓測(cè)量

摘要隨著晶圓級(jí)扇出封裝、TSV互連及精密Bump鍵合工藝高速發(fā)展，芯片封裝朝著微型化、高密度、高精度集成方向快速升級(jí)。晶圓級(jí)Bump鍵合作為芯片互連的核心工序，凸...

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2026

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鈣鈦礦電池死區(qū)寬度測(cè)量，白光干涉助力GFF提升

1 鈣鈦礦電池死區(qū)寬度成因及工藝影響鈣鈦礦電池組件規(guī)模化生產(chǎn)中，激光刻蝕形成的邊緣無(wú)效區(qū)域即為電池死區(qū)，主要位于P1、P2、P3刻蝕溝槽邊緣及電池片串間銜接位置。...

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2026

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硅片/碳化硅/藍(lán)寶石/氮化鋁襯底，晶圓表面粗糙度白光干涉測(cè)量

摘要硅片、碳化硅、藍(lán)寶石及氮化鋁是半導(dǎo)體功率器件、光電子芯片與第三代半導(dǎo)體封裝制程的核心晶圓襯底材料，晶圓表面粗糙度直接影響薄膜外延生長(zhǎng)質(zhì)量、光刻制程精度及器件鍵...

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